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5-100A整流管芯片台面造型与电压击穿

对5-100A整流管芯片的垂直边缘面的各种台面结构,根据电中性原理,讨论了其内部关于正负电荷、电力线、电场强度和等势线的分布关系,推导出了各种台面结构在反向电压下的击穿状态理论.选择合适的化学腐蚀造型工艺,使产品在加上反向雪崩电压时处于体击穿状态,避免表面击穿或亚表面层击穿.

详文请见:科学传播2012,年(19期)


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点击次数:2531  发布日期:2013-05-17  【打印此页】  【关闭

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